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    半导体探测器 应用领域

    2016/11/11 14:18:32

    上述各种γ射线探测器均须在低温下工作。人们日益注意探索可在常温下探测γ射线的半导体材料。一些原子序数较大的化合物半导体,如碲化镉、砷化镓、碘化汞、硒化镉等,均已用于制备X、γ射线探测器,并已取得不同程度的进展。

    随着科学技术不断发展需要,科学家们在锗锂Ge(Li)、硅锂Si(Li)、高纯锗HPGe、金属面垒型等探测器的基础上研制出许多新型的半导体探测器,如硅微条、Pixel、CCD、硅漂移室等,并广泛应用在高能物理、天体物理、工业、安全检测、核医学、X光成像、军事等各个领域。世界各大高能物理实验室几乎都采用半导体探测器作为顶点探测器。美国费米实验室的CDF和D0,SLAC的B介子工厂的BaBar实验,西欧高能物理中心(CERN)LEP上的L3,ALEPH,DELPHI,OPAL,正在建造的质子-质子对撞机LHC上的ATLAS,CMS及日本的KEK,德国的HARA、HARB及Zeus等。ATLAS和CMS还采用了硅微条探测器代替漂移室作为径迹测量的径迹室。近些年高能物理领域所有新的物理成果,无不与这些高精度的具有优良性能的先进探测器密切相关。

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